9 月 6 日消息,承车相ASML 首席执行官 Peter Wennink 近日在接受路透社采访时表示,诺年尽管供应商出现了一些阻碍,底前当但公司仍会按照此前设定的交付价亿计划,在今年年底之前交付 High NA EUV 机器。首台 ASML 表示一台高数值孔径 EUV 光刻(High-NA EUV)设备的刻机体积和卡车相当,每台设备的体积台售售价超过 3 亿美元(备注:当前约 21.9 亿元人民币),可以满足一线芯片制造商的美元需求,可以在未来十年内制造更小、承车相更好的诺年芯片。 Wennink 表示部分供应商无法提高组件的底前当数量和质量,因此导致了轻微的交付价亿延误,但整体而言这些困难都可以控制,首台承诺会在今年年底之前交付首台机器。刻机 此前报道,体积台售对于后 3nm 时代,ASML 及其合作伙伴正在开发一种全新的 EUV 光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列,该系列机器将具有 0.55 NA(高 NA)的透镜,分辨率达 8nm,从而在 3 nm 及以上节点中尽可能地避免双重或是多重曝光。 相关阅读: 《ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进展:目标 2024-2025 年进厂》 广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,所有文章均包含本声明。 |