作 者 | Robert Castellano

　　编译丨华尔街大事件

　　新技术，新技HBM和128GB DDR5，术推苏美势将推动内存市场的动内复苏。美光在HBM（高带宽内存）市场的存市场复份额仅为10%。美光尚未生产出128GB DDR5芯片。光失SK海力士垄断了大容量内存市场的新技两个领域。

　　韩国DRAM制造商SK海力士和三星电子（OTCPK：SSNLF）新的术推苏美势第二季度初步数据显示，他们在内存恢复方面领先于美国美光科技（NASDAQ：MU）。动内

　　我认为包括ChatGPT在内的存市场复生成AI（人工智能）的兴起及其对高带宽内存（“HBM”）的需求一直是DRAM增长的催化剂。我能够收集到的光失新数据是，2023 年 HBM 市场份额在 SK 海力士和三星之间平分秋色，新技占 45%，术推苏美势美光占 10%。动内

　　SK 海力士目前专门为英伟达提供 HBM3，存市场复用于 H100 Tensor Core GPU。光失

　　三星HBM产品进入超级计算机，如英特尔的Aurora Project和美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的AMD的El Capitan以及AMD的MI300 AI超级芯片。

　　根据相关报告分析，该分析师预测HBM芯片的销量将在2023年同比增长40%，在2024年同比增长5%，导致市场好转期间利润急剧增长。

　　HBM 需要复杂的生产工艺和高度先进的技术。HBM的平均售价（ASP）至少是DRAM的三倍。

　　下图显示了美光 2023 财年第三季度的 DRAM 收入。SK海力士报告第二季度DRAM初步收入为58%，而三星仅为3%，美光为0%。SK海力士和三星的收入上升表明，客户已经大大减少了库存积压，并开始再次购买芯片，尽管价格很低。

　　影响SK海力士强劲收入增长的另一个因素是128GB DDR5芯片的较高平均售价，该公司已经能够限制平均售价的下降，如图2所示。SK海力士以预估90%的收益率主导市场。

　　DDR5的性能是目前广泛使用的DDR4 DRAM的两倍，是目前领先的服务器DRAM，也是内存半导体制造商的最大收入来源。估计到 2023年底，DDR5 将占服务器内存需求的 30%。

　　因此，虽然DDR4 DIMM（双列直插式内存模块）的容量最高可达64GB（使用SDP），但基于DDR5 SDP的DIMM是其四倍，达到256GB。

　　DRAM市场的增长不平衡，因为HBM和DDR5的技术优势促进了服务器市场的复苏，该领域需要最大的内存量。

　　这种复苏得益于英特尔（INTC），英特尔是服务器中央处理器（CPU）市场的主导头号玩家，该公司推出了支持DDR5 DRAM的Sapphire Rapids CPU。当然还有英伟达（NVDA），它在服务器AI GPU市场的主导地位。

　　美光在AI/HBM业务方面进展甚微，计划于3年初开始量产HBM2024。根据EETimes：

　　“SK 海力士开发了 MR-MUF 技术，并将其应用于 HBM 产品。该技术提高了 HBM 超过 100，000 个微凸块互连的质量。此外，与竞争对手相比，这种封装技术充分增加了凸块的数量，同时在散热方面表现出色，因为它采用了具有高导热性的模制底部填充（MUF）材料。

　　MR-MUF是指在堆叠芯片时，将半导体芯片连接到电路上，并用称为“液体EMC”（环氧模塑料）的材料填充芯片和凸块间隙之间的空间的过程。到目前为止，NCF技术已被用于这一过程。

　　NCF是一种通过在芯片之间使用一种薄膜来堆叠芯片的方法。与NCF相比，MR-MUF方法的导热系数约为其两倍，并且会影响工艺速度和产量。

　　MR-MUF 封装对 HBM 芯片的外部结构有重大影响。SK 海力士在创建 50 层 HBM3 时，将一个产品中堆叠的 DRAM 数量从 8（16GB）增加到 12，从而将容量提高了约 3%。

　　对于DDR5，虽然SK海力士是唯一一家全面生产128GB芯片的公司，三星刚刚开始生产，但MU刚刚推出了96GB芯片。

　　总体而言，内存衰退可能正在达到最低点，上升将在 2023年下半年开始。

　　另一个肯定来自ASML最近关于内存公司收入的财报电话会议。ASML （ASML） 报告称，内存收入占总收入的比例从 2023 年第一季度的 30% 下降到 2023 年第二季度的 16%。

　　内存预订量有所改善，为1.4B欧元，上一季度为7.88亿欧元（+77%环比）和去年同期为3.38亿欧元（同比-59%）。

　　该分析师重申对美光科技的卖出评级。

责任编辑：李桐